Memoria DDR en modo Single Chanel vs Double Channel

Cuestiones relacionadas con los diferentes dispositivos.

Moderador: Moderadores

Avatar de Usuario
MauroNetDrumS

Memoria DDR en modo Single Chanel vs Double Channel

Mensaje por MauroNetDrumS » Mié Feb 16, 2005 1:18 am

Hola que tal, tengo una Pentium IV 3,2ghz en un mother Intel D865Perl, con un modulo DDR 256mb 400mhz.

Quiero saber si al instalar otro modulo igual de memoria, el rendimiento de la PC aumentará al estar en modo Dual Channel.
Es muy notable la diferencia???


Gracias!

Avatar de Usuario
rd12686950
Preferencial
Mensajes: 867
Registrado: Mié Dic 08, 2004 2:00 am
Contactar:

Mensaje por rd12686950 » Mié Feb 16, 2005 2:02 pm

con mas memoria, pasando de 256 MB de RAM a 512 Mb (256 + 256 ) por supuesto que notaras la diferencia !!

oiMAVERICKio
Senior
Mensajes: 47
Registrado: Jue Feb 10, 2005 1:01 am
Contactar:

de 512mb a 2 x 256mb

Mensaje por oiMAVERICKio » Mié Feb 16, 2005 4:16 pm

Mi pregunta es algo similar, en mi caso posee 512mb en un solo modulo, si cambiara esos 512mb por dos modulos de 256mb se incrementaría el rendimiento, y si es así sería notable el cambio.

Avatar de Usuario
MauroNetDrumS

Mensaje por MauroNetDrumS » Jue Feb 17, 2005 5:24 am

En realidad, mi duda es exactamente la misma que la tuya..... yo a lo mejor no me exprese bien.

Avatar de Usuario
rd12686950
Preferencial
Mensajes: 867
Registrado: Mié Dic 08, 2004 2:00 am
Contactar:

Mensaje por rd12686950 » Jue Feb 17, 2005 10:14 am

He estado leyendo lo que aparece por ahi, pero por lo que encontre hasta ahora, las memorias (y tambien la placa base) deben de ser de un TIPO ESPECIAL , las llamadas DUAL CHANNEL, y tener mas o menos las siguientes caracteristicas que resumo a continuacion:

Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe (DQS)
Differential clock inputs (CK and CK)
DLL aligns DQ and DQS transtition with CK transition
Programmable Read latency 3 (clock)
Programmable Burst length (2,4,8)
Programmable Burst type (sequential and interleave)
Timing Reference: 3-4-4-8-1 at +2.6V
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto and Self Refresh, 7.8us refresh interval (8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
High Performance Heat Spreader

Pero , como siempre, a estos datos del fabricante, hay que tomarlos de quien tiene interes en vender ...

Responder